Felles 硅片厚度測量儀采用非接觸式測量方法，對晶圓的厚度和表面形貌進(jìn)行測量，F(xiàn)elles 硅片厚度測量儀可廣泛用于：MEMS， 晶圓，電子器件，膜厚，激光打標(biāo)雕刻等工序或器件的測量。

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Felles 硅片厚度測量儀特點(diǎn)
專業(yè)為掩膜，劃線的晶圓，粘到藍(lán)寶石或玻璃襯底上的晶圓等各種晶圓的厚度測量而設(shè)計(jì)，

適合50-300mm 直徑的晶圓的表面形貌測量。

采用紅外干涉技術(shù)，能夠**給出襯底厚度和厚度變化 （TTV)，

能實(shí)時(shí)給出超薄晶圓的厚度（掩膜過程中的晶圓），

非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等應(yīng)用。

具有獨(dú)特優(yōu)勢，諸多材料例 如，Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測量，標(biāo)準(zhǔn)的測量空間分辨率可達(dá)50微米，更小的測量點(diǎn)也可以做到。

Felles 硅片厚度測量儀特色

具有探針系統(tǒng)配件，使用該探針系統(tǒng)后，

可以高精度地測量圖案化晶圓,帶 保護(hù)膜的晶圓, 鍵合晶圓和帶凸點(diǎn)晶圓（植球晶圓），wafers with patterns, wafer tapes,wafer  bump or bonded wafers 。

直接而**地測量晶圓襯底厚度和厚度變化TTV，

能夠測量晶圓薄膜厚度，硅膜厚度（membrane thickness) 和凸點(diǎn)厚度（wafer pump height).，溝槽深度 （trench depth).
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