可靠性試驗的目的
可靠性試驗的目標是通過模擬和加速半導體元器件在整個壽命周期 中遭遇的各種情況（器件應用壽命長短） 可靠性試驗目的：使試制階段的產品達到預定的可靠性指標。對產品的制作過程起監(jiān)控作用。根據(jù)試驗制定出合理的工藝篩選條件。通過試驗可以對產品進行可靠性鑒定或驗收。通過試驗可以研究器件的失效機理。
可靠性試驗的分類
溫度循環(huán)試驗(TCT)
目的：利用高低溫對膨脹和收縮的機械密封應力 作用下的非密封封裝固態(tài)器件的耐久性
檢測能力：溫度范圍：-75℃~250℃
覆蓋產品：模塊、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， 等分立半導體器件
執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
高溫儲存試驗(HTSL)
目的：評估產品長時間暴露在高溫下的耐久性
檢測能力：溫度*高300℃
覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體器件 執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
高溫柵偏試驗(HTGB)
目的：評估器件此測試加速介質擊穿并檢查柵氧 化層質量。
檢測能力：溫度*高200℃，電壓*高2000V
覆蓋產品：MOSFET、IGBT、等半導體器件
執(zhí)行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義等
高溫反偏試驗（HTRB)
目的：評估器件在*大額定反向直流電壓和結溫 下的持久能力
覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體器件 執(zhí)行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義等
熱疲勞試驗(TFAT)
目的：評估抵抗由間歇施加負載引起的結溫波動 的能力。
檢測能力：0～80.0V/0～60A
覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體器件
Power module
檢測能力：0-500A
覆蓋產品：Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體器件
高溫高濕反偏壓試驗(H3TRB)
目的：評估器件在高溫下*大額定直流電壓和濕 度的綜合影響下器件的能力。
檢測能力：溫度-45~150℃；濕度：0-99%RH,電壓*高300V
高壓鍋試驗(PCT)
目的：主要適用于產品抗?jié)裥栽u估及堅固性測試， 評估元器件在高溫和高壓條件下抵抗潮濕相關失 效的能力
檢測能力：溫度121℃ 濕度100%
覆蓋產品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導 體器件
加速抗?jié)裥栽囼?UHAST)
目的：這個測試方法主要適用于抗?jié)裥栽u估和堅固性測試，并可能被用作無偏置高壓鍋試驗的替代品
檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85% 覆蓋產品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體器件
高加速溫度濕度應力試驗(HAST)
目的：評估元器件在通電，高溫，高濕和高壓條件下抵抗潮濕相關失效的能力
檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85%
With bias
覆蓋產品：MOSFET、DIODE、Transistor、SIC等分立半導體器件
預處理（Pre-con)
目的：模似器件在包裝，運輸 ，貼片過程中影響 產品的性能評估
檢測能力：室溫~400℃；加熱溫區(qū)：上10/下10
覆蓋產品：所有SMD類型器件
濕氣敏感度等級評估（MSL)
實驗目的：評估產品對濕氣的敏感度
評估那些由濕氣所誘發(fā)應力敏感的非密封固態(tài)表面貼裝元器件的分類,以便對其進行正確的封裝, 儲存和處理, 以防回流焊和維修時損傷元器件。
低溫儲存試驗(LTSL)
目的：低溫儲存試驗具有代表性的被用來判斷溫 度和時間對儲存環(huán)境下固態(tài)電子元器件的影響 （熱激活失效機制）
檢測能力：溫度低-75 ℃
ESD
檢測能力：HBM*大電壓：8000V；MM*大電壓：800V
覆蓋產品：MOSFET、IGBT、IC等產品
執(zhí)行標準：MIL，AEC等
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