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英特爾利用硅開發(fā)出40Gbps超高速光調(diào)制器

北京錦坤科技有限公司www.jon-kon.com
英特爾利用硅開發(fā)出40Gbps超高速光調(diào)制器

據(jù)國外某網(wǎng)站報道,英特爾已經(jīng)正式宣布利用硅開發(fā)出了40Gbps的超高速的光調(diào)制器。新產(chǎn)品為MZI型,“通過調(diào)整行波電極的設(shè)計,實現(xiàn)了40Gbps的調(diào)制”(英特爾)。行波電極是在光和高頻電信號前進(jìn)的方向上,根據(jù)相位在一定距離設(shè)置的相互作用電極。其特點是調(diào)制效率高,易于實現(xiàn)高速化及低壓驅(qū)動。

  英特爾曾于2005年5月利用硅開發(fā)出了10Gbps的光調(diào)制器。今后,該公司還計劃將25個40Gbps光調(diào)制器集成在一枚芯片上,實現(xiàn)1Tbps的傳輸容量,以用于超級計算機的板卡間通信等。

  英特爾已經(jīng)將采用上述光調(diào)制器實現(xiàn)的30Gbps調(diào)制成果發(fā)表在了2007年1月22日的光通信技術(shù)學(xué)術(shù)雜志《Optics Express》上。并在2007年7月8~11日于美國猶他州舉行的國際會議“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上,宣布傳輸速度達(dá)到了40Gbps。

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