1、可在真空，惰性氣體(N2,Ar)環(huán)境下進(jìn)行快速熱處理；
2、*大樣品直徑：4英寸；
3、*高溫度：1000℃；
4、*高升溫速度：100℃/Second；
5、*高降溫速度：80℃/Second；
6、溫度控制準(zhǔn)確度：±1%；
7、*低真空度≤5×10^-3 Torr；
8、功率：紅外鹵素鎢燈，1,250 W/ea ×11 lamps；
9、尺寸：760mm(W) × 400mm(D) × 400mm(H)；

 1, 腔體Chamber：腔體為鍍金工藝，金層有助于熱反射均勻；腔體為方形，帶有真空和氣體端口。
2，基底固定器 Substrate Holder：4英寸，石英。
3, 加熱器 Heater：11支紅外鹵素鎢燈，水冷。
4, 真空泵 Pump：分子渦輪泵(TMP)，~ 10-6 Torr；旋葉式真空泵，~ 5*10-3 Torr；
5, 氣體模塊(包括質(zhì)量流量控制器，MFC) Gas Module：氣體流量可控；316不銹鋼管，自動焊接、電解拋光工藝，VCR接口，液氦檢漏達(dá)到10E-8 Torr. L/sec.水平。
6, 控制模塊 Control Module：菜單可編輯，多程序快速溫度控制及處理。

應(yīng)用領(lǐng)域：
快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);
快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);
快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);
硅化 (Silicidation);
擴(kuò)散 (Diffusion);
化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
離子注入后退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);
等等…